一种背沟道BCE氧化物阵列基板

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专利状态

一种背沟道BCE氧化物阵列基板

有效

专利申请进度

申请

2023-08-08

授权

2024-03-15

预估到期

2033-08-08

专利基础信息

申请号	CN202322117549.6	申请日	2023-08-08
授权公布号	CN220604693U	授权公告日	2024-03-15
分类号	H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
分类	基本电气元件;
申请人名称	华映科技（集团）股份有限公司
申请人地址	福建省福州市马尾区儒江西路6号

专利法律状态

2024-03-15

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供一种背沟道BCE氧化物阵列基板，从下到上依次包括基板、第一透明导电层、第一金属层、栅极绝缘层、半导体层、第二金属层、钝化层以及第二导电透明层，第一透明导电层包括第一ITO层和第一电极，第一金属层与第一ITO层组成栅极；第二金属层包括源极、漏极以及COM信号线；钝化层开设有第一通孔、第二通孔以及第三通孔，第二导电透明层包括第二电极和桥接电极；当第二电极通过第一通孔与漏极连接时，第二电极则为像素电极；桥接电极分别通过第二通孔和第三通孔桥接所述COM信号线和第一电极，则第一电极为COM电极。本实用新型通过优化结构仅利用4枚光罩即可生产出所需高品质金属氧化物整列基板，大大降低了生产成本，提高生产效率。

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