一种低电阻触控线的像素结构

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专利状态

一种低电阻触控线的像素结构

有效

专利申请进度

申请

2022-04-20

授权

2022-08-09

预估到期

2032-04-20

专利基础信息

申请号	CN202220925806.1	申请日	2022-04-20
授权公布号	CN217158190U	授权公告日	2022-08-09
分类号	H01L27/12;G06F3/044
分类	基本电气元件;
申请人名称	华映科技（集团）股份有限公司
申请人地址	福建省福州市马尾区儒江西路6号

专利法律状态

2022-08-09

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型公开一种低电阻触控线的像素结构，其包括由下至上设置基板上的第一金属层、栅极绝缘层、半导体层、第二金属层、第一绝缘层、有机层、第三金属层、第二绝缘层、像素电极、第三绝缘层和共通电极；第一金属层作为薄膜晶体管栅极；半导体层作为薄膜晶体管半导体沟道；第二金属层作为触控线一层；第三金属层作为触控线另一层，第三金属层通过第一层绝缘层上的连接通孔连接第二金属层以作为触控线；位于共通电极与第三金属层之间的第三绝缘层、第二绝缘层、有机层和第一绝缘层的竖直方向设置连接通孔，共通电极通过连接通孔与第三金属层连接，实现共通电极与触控线连接。本实用新型利用两层金属走线的方式降低电阻，触控反应更灵敏。

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