一种差异化金属氧化物薄膜晶体管阵列基板

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专利状态

一种差异化金属氧化物薄膜晶体管阵列基板

有效

专利申请进度

申请

2022-09-06

授权

2022-12-13

预估到期

2032-09-06

专利基础信息

申请号	CN202222361654.X	申请日	2022-09-06
授权公布号	CN218039205U	授权公告日	2022-12-13
分类号	H01L27/12;H01L21/77
分类	基本电气元件;
申请人名称	华映科技（集团）股份有限公司
申请人地址	福建省福州市马尾区儒江西路6号

专利法律状态

2022-12-13

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供一种差异化金属氧化物薄膜晶体管阵列基板，包括在基板上设置有两种不同结构的背沟道金属氧化物TFT，所述基板上设有第一金属层，所述第一金属层之上设置有第一绝缘层；所述第一绝缘层之上设置有第二金属层，所述第二金属层之上设置有第二绝缘层，所述第二绝缘层之上设置有有源层，所述有源层上设有第三金属层，所述第三金属层通过所述第一通孔和所述第一金属层和或第二金属层电连接，所述第三金属层上设有第三绝缘层，所述第一绝缘层和第二绝缘层的厚度不同。本实用新型针对TFT在所处电路中工作状态的不同进行结构差异化设计，使得各枚TFT在长时间的工作状态下仍能维持Vth的一致性，避免电路失效。

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