画素结构及其制作方法_专利查询-品牌网

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专利状态

画素结构及其制作方法

有效

专利申请进度

申请

2012-02-10

申请公布

2012-07-04

授权

2014-06-04

预估到期

2032-02-10

专利基础信息

申请号	CN201210029635.5	申请日	2012-02-10
申请公布号	CN102543996A	申请公布日	2012-07-04
授权公布号	CN102543996B	授权公告日	2014-06-04
分类号	G02F1/136;H01L27/02;H01L29/786;H01L21/77
分类	光学;
申请人名称	华映科技（集团）股份有限公司
申请人地址	福建省福州市马尾区儒江西路6号1#楼第三、四层

专利法律状态

2017-08-29

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利权的转移；IPC(主分类):G02F1/136；登记生效日:20170809；变更事项:专利权人；变更前:福建华映显示科技有限公司；变更后:华映科技（集团）股份有限公司；变更事项:地址；变更前:350015 福建省福州市马尾区科技园区兴业路1号；变更后:福建省福州市马尾区儒江西路6号1#楼第三、四层；变更事项:共同专利权人；变更前:中华映管股份有限公司；变更后:中华映管股份有限公司
2014-06-04

授权

状态信息

授权
2012-09-05

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/02；申请日:20120210
2012-07-04

公布

状态信息

公布

摘要

一种画素结构及其制作方法，其中画素结构包括基板、闸极线、资料线、半导体图案、非金属源极图案、非金属汲极图案以及画素电极。闸极线与资料线设置于基板上。半导体图案设置于闸极线，且半导体图案在垂直投影方向上与闸极线的两相对的边缘重叠。非金属源极图案与非金属汲极图案设置在半导体图案上。非金属源极图案与非金属汲极图案分别设置于闸极线的两相对的边缘上，且非金属源极图案部分设置于资料线与闸极线之间。画素电极与非金属汲极图案电性连结。另外，还提供了画素结构制作方法，该方法利用欧姆接触层于闸极线的两相对的边缘上分别形成非金属源极图案与汲极图案，借以减少非透明电极图案所占的区域，进而达到提升画素结构的开口率的目的。

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