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专利状态

画素结构及其制作方法

有效

专利申请进度

申请

2012-02-10

申请公布

2012-07-11

授权

2014-02-05

预估到期

2032-02-10

专利基础信息

申请号	CN201210029658.6	申请日	2012-02-10
申请公布号	CN102569190A	申请公布日	2012-07-11
授权公布号	CN102569190B	授权公告日	2014-02-05
分类号	H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368
分类	基本电气元件;
申请人名称	华映科技（集团）股份有限公司
申请人地址	福建省福州市马尾区儒江西路6号1#楼第三、四层

专利法律状态

2017-08-29

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利权的转移；IPC(主分类):H01L21/77；登记生效日:20170809；变更事项:专利权人；变更前:福建华映显示科技有限公司；变更后:华映科技（集团）股份有限公司；变更事项:地址；变更前:350015 福建省福州市马尾区科技园区兴业路1号；变更后:福建省福州市马尾区儒江西路6号1#楼第三、四层；变更事项:共同专利权人；变更前:中华映管股份有限公司；变更后:中华映管股份有限公司
2014-02-05

授权

状态信息

授权
2012-09-12

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/77；申请日:20120210
2012-07-11

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提出一种画素结构的制作方法。在基板上形成薄膜晶体管并形成绝缘层，以覆盖基板以及薄膜晶体管。利用半调式光罩图案化绝缘层而形成凸起图案、与凸起图案连接的凹陷图案以及位于凹陷图案中的开口。凸起图案的厚度大于凹陷图案的厚度。开口贯穿凹陷图案而曝露出薄膜晶体管的汲极。形成透光导电层，以覆盖凸起图案、凹陷图案并填入开口。形成平坦层，以覆盖透光导电层。移除位于凸起图案上的部分平坦层、部份透光导电层以及开口中的部分平坦层，而使透光导电层形成画素电极图案。一种以上述方法所制作的画素结构亦被提出。

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