一种低寄生电容的触控显示结构

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专利状态

一种低寄生电容的触控显示结构

有效

专利申请进度

申请

2022-12-21

授权

2023-05-05

预估到期

2032-12-21

专利基础信息

申请号	CN202223434878.5	申请日	2022-12-21
授权公布号	CN218974720U	授权公告日	2023-05-05
分类号	G02F1/1333;G06F3/041;G02F1/1362;G02F1/1343
分类	光学;
申请人名称	华映科技（集团）股份有限公司
申请人地址	福建省福州市马尾区儒江西路6号

专利法律状态

2023-05-05

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供一种低寄生电容的触控显示结构，包括有基板，基板顶部设有中间层，中间层内设有第二金属层SD、半导体层SE和source信号走线SD，中间层顶部设有第三绝缘层OC，中间层和第三绝缘层OC之间设有触控信号走线CM。触控信号走线CM设在第二绝缘层PV的上方后，使触控信号走线CM同source信号走线的寄生电容减小，还能减小触控信号走线CM同栅极金属层GE间的寄生电容，获得更优的面板点触信噪比，有效的降低了制程short风险，有利于面板良率提升，提高了面板触控和显示性能。触控信号走线CM和画素电极PE之间通过第三绝缘层OC隔开，能有效降低触控信号走线CM与画素电极PE、触控信号走线CM与触控电极间的寄生电容，进一步的提高了面板点触信噪比。

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