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专利状态
一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管
有效
专利申请进度
申请
2019-12-30
申请公布
2021-07-16
授权
2022-08-02
预估到期
2039-12-30
专利基础信息
申请号 CN201911401405.5 申请日 2019-12-30
申请公布号 CN113130779A 申请公布日 2021-07-16
授权公布号 CN113130779B 授权公告日 2022-08-02
分类号 H01L51/50;H01L51/54;B82Y30/00;B82Y40/00
分类 基本电气元件;
申请人名称 TCL科技集团股份有限公司
申请人地址 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
专利法律状态
  • 2022-08-02
    授权
    状态信息
    授权
  • 2021-07-16
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明公开一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管,所述纳米材料的制备方法包括步骤:将Zn源、磷钼酸和有机溶剂混合,经反应生成ZnO晶核,ZnO晶核与磷钼酸共组装,得到片状结构的纳米材料。与现有普通ZnO纳米材料相比,本发明纳米材料在溶液中的稳定性更高,成膜更均匀,而普通ZnO纳米颗粒在溶液中不稳定,易析出;并且其电子迁移率明显更高,这主要是因为二维杂化超细纳米片的优异结构;另外所述纳米材料与蓝色量子点的壳层能级更加匹配,这有利于电子的快速注入传输,从而有效平衡器件发光层中的载流子,提高器件的光学性能。