一种晶体管及其制备方法_专利查询-品牌网

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专利状态

一种晶体管及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2020-07-17

申请公布

2022-01-18

授权

2022-09-27

预估到期

2040-07-17

专利基础信息

申请号	CN202010692304.4	申请日	2020-07-17
申请公布号	CN113948657A	申请公布日	2022-01-18
授权公布号	CN113948657B	授权公告日	2022-09-27
分类号	H01L51/52;H01L51/56
分类	基本电气元件;
申请人名称	TCL科技集团股份有限公司
申请人地址	广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦

专利法律状态

2022-09-27

授权

状态信息

授权
2022-01-18

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开一种晶体管及其制备方法。所述晶体管，包括依次层叠设置的第一电极、量子点发光层、第二电极、绝缘层、第三电极；所述第一电极为全反射电极，所述第二电极为半反射电极，所述第三电极为半反射电极。本发明晶体管具有顶栅极（第三电极和绝缘层）结构。该发光晶体管设置有三个具有较高反射率的电极，在第一电极和第二电极之间、在第二电极和第三电极之间构成两个光学共振微腔，通过调节膜层的厚度，可以提高发光晶体管的出光强度和出光的单色性。顶栅极可以调节晶体管的内部的载流子浓度和注入势垒，从而提高晶体管的发光效率和寿命。

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