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专利状态
发光器件及其制备方法
有效
专利申请进度
申请
2020-07-16
申请公布
2022-01-18
授权
2023-02-07
预估到期
2040-07-16
专利基础信息
申请号
CN202010686296.2
申请日
2020-07-16
申请公布号
CN113948667A
申请公布日
2022-01-18
授权公布号
CN113948667B
授权公告日
2023-02-07
分类号
H10K71/00;H10K50/17;H10K50/15
分类
基本电气元件;
申请人名称
TCL科技集团股份有限公司
申请人地址
广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
专利法律状态
2023-02-07
授权
状态信息
授权
2022-01-18
公布
状态信息
公布
摘要
本发明属于光电器件技术领域,尤其涉及一种发光器件的制备方法,包括步骤,在量子点发光层与阳极之间设置空穴功能层,所述空穴功能层包含空穴传输材料与空穴注入材料的混合材料,所述空穴功能层的厚度选自所述混合材料的腔驻波中原点到第一正波谷之间1/3~2/3横坐标对应的厚度;和/或,在量子点发光层与阴极之间设置电子功能层,所述电子功能层的厚度与电子功能材料的腔驻波中第一正波峰对应厚度的差值的绝对值小于等于5纳米。本发明提供的发光器件的制备方法,通过对空穴功能层和/或电子功能层的调节,使发光层中电子与空穴的注入效率更平衡,提高电子与空穴的复合效率,从而提高器件的发光效率,延长器件的使用寿命,并且制备方法操作简单,适用于工业化大规模生产和应用。
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