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专利状态
量子点发光二极管及其制备方法
有效
专利申请进度
申请
2019-08-08
申请公布
2021-02-09
授权
2022-11-04
预估到期
2039-08-08
专利基础信息
申请号
CN201910730700.9
申请日
2019-08-08
申请公布号
CN112349870A
申请公布日
2021-02-09
授权公布号
CN112349870B
授权公告日
2022-11-04
分类号
H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56
分类
基本电气元件;
申请人名称
TCL科技集团股份有限公司
申请人地址
广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
专利法律状态
2022-11-04
授权
状态信息
授权
2021-02-09
公布
状态信息
公布
摘要
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。该量子点发光二极管,包括阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层,所述阴极和所述量子点发光层之间设置有电子传输层,所述电子传输层靠近所述量子点发光层的至少部分表面设置有乙二胺四乙酸二钠材料。该器件很好地利用了电子传输材料的高电子迁移率以及EDTA‑2Na能够减小量子点发光层与电极之间的能级势垒,从而形成欧姆接触以有效地传输电荷,且EDTA‑2Na与电子传输材料间会产生很好的接触,提供合适的电子传输通道进而达到良好的电子传输和电子注入,也有效地阻挡空穴和降低激子复合,最终提高了器件发光效率和性能。
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