复合物及其制备方法、量子点发光二极管

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专利状态

复合物及其制备方法、量子点发光二极管

有效

专利申请进度

申请

2020-06-15

申请公布

2021-12-17

授权

2022-10-11

预估到期

2040-06-15

专利基础信息

申请号	CN202010542831.7	申请日	2020-06-15
申请公布号	CN113809244A	申请公布日	2021-12-17
授权公布号	CN113809244B	授权公告日	2022-10-11
分类号	H01L51/50;H01L51/54
分类	基本电气元件;
申请人名称	TCL科技集团股份有限公司
申请人地址	广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦

专利法律状态

2022-10-11

授权

状态信息

授权
2021-12-17

公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及发光显示技术领域，提供了一种复合物及其制备方法，以及一种量子点发光二极管。其中，所述复合物包括金属化合物和硼化石墨炔，且所述金属化合物和所述硼化石墨炔通过配位键结合。本发明提供的复合物，将硼化石墨炔掺杂到金属化合物晶体中，可以明显增强金属化合物的本征空穴强度，提高空穴迁移率。此外，由于硼化石墨炔中的硼原子与金属原子之间存在较强的亲和力，因此，硼化石墨炔与金属化合物复合后，不易形成间隙受主缺陷，从而更有利于空穴的传输。

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