复合材料及其制备方法和量子点发光二极管

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专利状态

复合材料及其制备方法和量子点发光二极管

有效

专利申请进度

申请

2019-08-19

申请公布

2021-02-23

授权

2022-11-04

预估到期

2039-08-19

专利基础信息

申请号	CN201910762632.4	申请日	2019-08-19
申请公布号	CN112397670A	申请公布日	2021-02-23
授权公布号	CN112397670B	授权公告日	2022-11-04
分类号	H01L51/54;H01L51/50
分类	基本电气元件;
申请人名称	TCL科技集团股份有限公司
申请人地址	广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦

专利法律状态

2022-11-04

授权

状态信息

授权
2021-02-23

公布

状态信息

公布

摘要

本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法和量子点发光二极管。所述复合材料包括氧化镍纳米颗粒和结合在所述氧化镍纳米颗粒表面的乙酰丙酮钴；其中，所述乙酰丙酮钴中的钴离子与所述氧化镍纳米颗粒表面的氧离子相结合。该复合材料中的乙酰丙酮钴可以提高氧化镍的导电性，减少氧化镍纳米颗粒的表面缺陷，同时Co2+替代Ni2+使得该复合材料体系显示出p型掺杂的性质，因此，空穴载流子浓度得到提高，电阻率减小，从而提高了空穴的注入能力，将其用于量子点发光二极管的空穴传输层，可以促进电子‑空穴有效地复合，降低激子累积对器件性能的影响，从而提高器件性能。

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