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专利状态
光电探测器及其制备方法
有效
专利申请进度
申请
2019-12-31
申请公布
2021-07-02
授权
2022-10-11
预估到期
2039-12-31
专利基础信息
申请号
CN201911412413.X
申请日
2019-12-31
申请公布号
CN113066873A
申请公布日
2021-07-02
授权公布号
CN113066873B
授权公告日
2022-10-11
分类号
H01L31/0216;H01L31/09;H01L31/101;H01L31/18
分类
基本电气元件;
申请人名称
TCL科技集团股份有限公司
申请人地址
广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
专利法律状态
2022-10-11
授权
状态信息
授权
2021-07-02
公布
状态信息
公布
摘要
本发明属于显示技术领域,尤其涉及一种光电探测器及其制备方法。本发明提供的光电探测器包括:第一电极,第二电极,设置在第一电极和第二电极之间的发光层,以及设置在发光层和第一电极之间的增强层;增强层的材料包括:金属纳米颗粒和光子晶体。通过利用金属纳米颗粒和光子晶体将入射光聚集,以及由金属纳米颗粒和光子晶体相互作用产生的有效局部电场,促进了大量的电子被注入到发光层中,加快了发光层的发光速率,当有效局部电场激发的等离子体共振峰与发光层材料的发射频率相同或相近时发生叠加,从而大大增加发光层的光发射效率和光发射强度。
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