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专利状态
量子点发光二极管及其制备方法
有效
专利申请进度
申请
2019-12-31
申请公布
2021-07-16
授权
2022-10-11
预估到期
2039-12-31
专利基础信息
申请号
CN201911410483.1
申请日
2019-12-31
申请公布号
CN113130782A
申请公布日
2021-07-16
授权公布号
CN113130782B
授权公告日
2022-10-11
分类号
H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
分类
基本电气元件;
申请人名称
TCL科技集团股份有限公司
申请人地址
广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
专利法律状态
2022-10-11
授权
状态信息
授权
2021-07-16
公布
状态信息
公布
摘要
本发明属于量子显示技术领域,具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。该量子点发光二极管包括:相对设置的底电极以及顶电极;位于所述底电极和顶电极之间的量子点发光层;其中,所述量子点发光层内、和/或在所述底电极与所述量子点发光层之间、和/或在所述量子点发光层与所述顶电极之间、和/或所述顶电极远离所述量子点发光层的一侧分别独立地设有紫外光稳定剂。该量子点发光二极管通过紫外光稳定剂提高器件的抗紫外光能力,使量子点稳定发光,从而可以使器件在紫外照射或者在自然光下具有很好的稳定性,如此可以延长器件的寿命。
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