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专利状态
一种薄膜、量子点发光二极管及其制备方法
有效
专利申请进度
申请
2020-07-20
申请公布
2022-01-21
授权
2023-08-29
预估到期
2040-07-20
专利基础信息
申请号 CN202010697969.4 申请日 2020-07-20
申请公布号 CN113964281A 申请公布日 2022-01-21
授权公布号 CN113964281B 授权公告日 2023-08-29
分类号 H10K50/165;H10K71/00;H10K99/00;C01B19/00
分类 基本电气元件;
申请人名称 TCL科技集团股份有限公司
申请人地址 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
专利法律状态
  • 2023-08-29
    授权
    状态信息
    授权
  • 2022-02-15
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L51/54;申请日:20200720
  • 2022-01-21
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明公开一种薄膜、量子点发光二极管及其制备方法,所述薄膜的制备方法包括步骤:提供包括AgNO3、Bi(NO3)3和溶剂的混合溶液;对所述混合溶液进行第一加热处理,使溶剂挥发,得到包括AgNO3和Bi(NO3)3的第一薄膜;将包括AgNO3和Bi(NO3)3的第一薄膜进行第二加热处理得到第二薄膜;将第二薄膜进行硒化处理,得到包括Ag掺杂Bi2O2Se的所述薄膜。本发明薄膜结构均匀致密,表面平滑,且薄膜具有高电子迁移率,从而提高电荷传输性能和导电性,促进器件中电子和空穴注入平衡,提高器件性能。