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专利状态
一种异质结纳米材料及其制备方法、薄膜、量子点发光二极管
有效
专利申请进度
申请
2019-12-30
申请公布
2021-07-16
授权
2022-11-29
预估到期
2039-12-30
专利基础信息
申请号
CN201911394057.3
申请日
2019-12-30
申请公布号
CN113130631A
申请公布日
2021-07-16
授权公布号
CN113130631B
授权公告日
2022-11-29
分类号
H01L29/225;H01L51/50;B82Y40/00;B82Y30/00
分类
基本电气元件;
申请人名称
TCL科技集团股份有限公司
申请人地址
广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
专利法律状态
2022-11-29
授权
状态信息
授权
2021-07-16
公布
状态信息
公布
摘要
本发明公开了一种异质结纳米材料及其制备方法、薄膜、量子点发光二极管,其中,所述异质结纳米材料的制备方法包括步骤:提供一种ZnMgO纳米颗粒;将所述ZnMgO纳米颗粒加入到硫源水溶液中并加热,在所述ZnMgO纳米颗粒表面生成ZnS层,制得所述异质结纳米材料。本发明异质结纳米材料中,所述ZnS层可钝化ZnMgO纳米颗粒的表面缺陷,改善以所述异质结纳米材料作为电子传输层时与量子点发光层的接触面质量,同时所述ZnMgO纳米颗粒的表面Zn原子与表面S原子紧密结合后,创建了新的电子传递途径,可加速电子传递,从而协同提高量子点发光二极管的发光效率及稳定性。
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