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专利状态
LED芯片转移方法
有效
专利申请进度
申请
2019-12-31
申请公布
2021-07-16
授权
2022-12-09
预估到期
2039-12-31
专利基础信息
申请号
CN201911419571.8
申请日
2019-12-31
申请公布号
CN113130348A
申请公布日
2021-07-16
授权公布号
CN113130348B
授权公告日
2022-12-09
分类号
H01L21/67;H01L21/683;H01L27/15
分类
基本电气元件;
申请人名称
TCL科技集团股份有限公司
申请人地址
广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
专利法律状态
2022-12-09
授权
状态信息
授权
2021-07-16
公布
状态信息
公布
摘要
一种LED芯片转移方法,通过设置对光线透明的供体基板,通过在光罩上的阵列排布的透光孔入射光线,供体基板吸收光线后使得与透光孔一一对应的LED芯片脱落转移到目标基板上,这种转移方式不受LED芯片大小的影响,也能高效、简单的实现批量的小型化LED芯片转移,能够不够限制地适应显示设备的量产需求。
更多专利
1
一种量子点分散液及量子点保存方法
2
一种应用间动态共享依赖包的方法、存储介质及移动终端
3
量子点材料及其制备方法、量子点发光二极管
4
复合衬底和柔性显示屏
5
图像处理模型的训练方法、图像处理方法、介质及终端
6
发光器件及其制备方法
7
一种基于TOF相机的3D扫描方法及系统
8
芯片焊接方法、背板和热压合设备
9
水相量子点及其制备方法和应用
10
一种训练样本的扩充方法
11
一种晶体管及其制备方法
12
一种语音交互方法、存储介质及终端设备
13
一种量子点材料及其制备方法、量子点发光二极管
14
调光方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质
15
光子晶体及其制备方法和发光二极管
16
一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管
17
一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管
18
一种油溶性量子点的后处理方法
19
电子传输膜层的制备方法和量子点发光二极管的制备方法
20
界面控制方法、装置、智能终端及计算机可读存储介质
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