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专利状态

双向功率器件

有效

专利申请进度

申请

2020-10-27

授权

2021-09-03

预估到期

2030-10-27

专利基础信息

申请号	CN202022417362.4	申请日	2020-10-27
授权公布号	CN214123858U	授权公告日	2021-09-03
分类号	H01L21/8232;H01L29/06;H01L27/02
分类	基本电气元件;
申请人名称	杭州士兰微电子股份有限公司
申请人地址	浙江省杭州市黄姑山路4号

专利法律状态

2021-09-03

授权

状态信息

授权

摘要

本申请公开了一种双向功率器件，包括：半导体层；第一掺杂区，位于半导体层中；第一沟槽区的多个沟槽，位于第一掺杂区中，将第一掺杂区分隔为交替的第一类子掺杂区与第二类子掺杂区；栅介质层，覆盖第一沟槽区的多个沟槽的下部侧壁；屏蔽介质层，覆盖第一沟槽区的多个沟槽的上部侧壁；以及栅极导体，位于第一沟槽区的多个沟槽中，并分别与栅介质层和屏蔽介质层接触，栅极导体包括相连的控制栅与屏蔽栅，控制栅与栅介质层接触，屏蔽栅与屏蔽介质层接触，其中，屏蔽介质层的厚度不一致，至少部分屏蔽介质层的厚度大于栅介质层的厚度。该双向功率器件通过将屏蔽介质层的至少部分厚度设置为大于栅介质层的厚度从而提升器件的耐压。

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