绝缘栅双极晶体管及其制造方法

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专利状态

绝缘栅双极晶体管及其制造方法

有效

专利申请进度

申请

2021-02-23

申请公布

2021-06-29

授权

2021-12-03

预估到期

2041-02-23

专利基础信息

申请号	CN202110204311.X	申请日	2021-02-23
申请公布号	CN113054012A	申请公布日	2021-06-29
授权公布号	CN113054012B	授权公告日	2021-12-03
分类号	H01L29/739;H01L29/06;H01L21/335
分类	基本电气元件;
申请人名称	杭州士兰微电子股份有限公司
申请人地址	浙江省杭州市黄姑山路4号

专利法律状态

2021-12-03

授权

状态信息

授权
2021-07-16

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L29/739；申请日:20210223
2021-06-29

公布

状态信息

公布

摘要

公开了一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法，绝缘栅双极晶体管包括半导体层，具有相对的第一表面以及第二表面；自第二表面向第一表面的延伸方向上依次堆叠的P型集电区、N型场截止层、N型漂移区、P型基区以及发射区，发射区包括P型发射区与N型发射区；多个沟槽，沿半导体层的厚度方向延伸，绝缘栅双极晶体管包括电流引导区和电流扩展区，电流扩展区中沟槽的底部周围设置有P型掺杂区，以及P型掺杂区与所述P型基区之间被沟槽隔断的N型掺杂区。本发明可以减小绝缘栅双极晶体管中沟槽底部的电位抬升所产生的栅位移电流，从而有效增强栅驱动电阻对绝缘栅双极晶体管dv/dt的控制能力，降低EMI噪声，提高器件的鲁棒性。

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