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专利状态
传感器组件的极化方法
有效
专利申请进度
申请
2019-04-08
申请公布
2019-08-16
授权
2023-06-20
预估到期
2039-04-08
专利基础信息
申请号
CN201910277238.1
申请日
2019-04-08
申请公布号
CN110137340A
申请公布日
2019-08-16
授权公布号
CN110137340B
授权公告日
2023-06-20
分类号
H10N30/045;G01D11/00
分类
基本电气元件;
申请人名称
杭州士兰微电子股份有限公司
申请人地址
浙江省杭州市黄姑山路4号
专利法律状态
2023-06-20
授权
状态信息
授权
2019-09-10
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L41/257;申请日:20190408
2019-08-16
公布
状态信息
公布
摘要
本申请公开了传感器组件的极化方法。所述传感器组件包括彼此连接的传感器阵列和CMOS电路,所述多个像素电路分别包括输入端,所述方法包括:将所述传感器组件放置在栅格极板和第一极板之间;将所述CMOS电路的半导体衬底与第一极板一起接地;在所述复位端提供复位信号以保护所述CMOS电路的内部电路;在所述栅格极板和所述第一极板之间施加第一正电压;在栅格极板上方采用电晕针施加第二正电压,从而对所述传感器阵列进行极化处理;以及从所述栅格极板和所述第一极板之间取出所述传感器组件该传感器组件在极化过程中根据复位信号对像素电路的至少一个输入端进行保护,从而可将传感器阵列和CMOS电路集成一起之后进行极化而不会导致CMOS电路的损坏。
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