一种存储器擦除方法及装置

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专利状态

一种存储器擦除方法及装置

有效

专利申请进度

申请

2017-12-01

申请公布

2019-06-11

授权

2023-07-25

预估到期

2037-12-01

专利基础信息

申请号	CN201711248639.1	申请日	2017-12-01
申请公布号	CN109872759A	申请公布日	2019-06-11
授权公布号	CN109872759B	授权公告日	2023-07-25
分类号	G11C16/34
分类	信息存储;
申请人名称	兆易创新科技集团股份有限公司
申请人地址	北京市海淀区丰豪东路9号院8号楼1至5层101

专利法律状态

2023-07-25

授权

状态信息

授权
2022-09-20

著录事项变更

状态信息

著录事项变更；IPC(主分类):G11C16/34；变更事项:申请人；变更前:北京兆易创新科技股份有限公司；变更后:兆易创新科技集团股份有限公司；变更事项:地址；变更前:100083 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层；变更后:100094 北京市海淀区丰豪东路9号院8号楼1至5层101
2019-07-05

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G11C16/34；申请日:20171201
2019-06-11

公布

状态信息

公布

摘要

本发明实施例公开了一种存储器擦除方法及装置。其中，存储器擦除方法包括：对擦除区域内的排布的存储单元进行擦除操作；对存储单元进行第一过擦除验证操作，用于将存储单元的阈值电压增大至大于第一设定阈值；依次对存储单元进行第二过擦除验证操作，用于将阈值电压增大至大于第二设定阈值；在进行第二过擦除验证操作中的第二读验证操作时，对擦除区域所在存储块内的所有未选中字线施加负压，并在满足设定条件后施加零电压，未选中字线为未与当前进行第二过擦除验证操作的存储单元的控制端电连接的字线。本发明实施例提供的技术方案，可解决存储器的老化和衰退，导致非擦除区域存在漏电，增加过擦除验证操作的时间的问题。

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