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专利状态
一种上电复位电路及芯片
有效
专利申请进度
申请
2017-11-30
申请公布
2019-06-07
授权
2022-12-13
预估到期
2037-11-30
专利基础信息
申请号
CN201711239758.0
申请日
2017-11-30
申请公布号
CN109861678A
申请公布日
2019-06-07
授权公布号
CN109861678B
授权公告日
2022-12-13
分类号
H03K17/22;H03K17/284;H03K17/687;G06F1/24
分类
基本电子电路;
申请人名称
兆易创新科技集团股份有限公司
申请人地址
北京市海淀区丰豪东路9号院8号楼1至5层101
专利法律状态
2022-12-13
授权
状态信息
授权
2022-09-06
著录事项变更
状态信息
著录事项变更;IPC(主分类):H03K 17/22;专利申请号:2017112397580;变更事项:申请人;变更前:北京兆易创新科技股份有限公司;变更后:兆易创新科技集团股份有限公司;变更事项:地址;变更前:100083 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层;变更后:100094 北京市海淀区丰豪东路9号院8号楼1至5层101;变更事项:申请人;变更前:合肥格易集成电路有限公司;变更后:合肥格易集成电路有限公司
2019-07-02
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H03K 17/22;专利申请号:2017112397580;申请日:20171130
2019-06-07
发明专利申请公布
状态信息
公布
摘要
本发明提供一种上电复位电路及芯片,电路包括二极管、第一NMOS管以及缓冲器,还包括:电压抬升模块,控制端与二极管的阴极相连,第一端与电源相连,第二端与第一NMOS管的源端相连,当二极管的阴极电压值小于电压抬升模块的关断阈值电压时,电压抬升模块处于导通状态;延时控制模块,控制端与电源相连,第一端与缓冲器的输入端相连,第二端与第一NMOS管的源端相连,第三端接地,根据电源电压的上升速度和第一NMOS管是否导通,调节从二极管导通至缓冲器翻转的延时时间,使复位信号宽度处于预设宽度范围。本发明能解决传统上电复位电路中存在的电源电压上升速度快时复位信号宽度过窄和电源电压上升速度慢时复位信号宽度过宽的问题。
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