一种非易失存储器读处理方法及装置

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专利状态

一种非易失存储器读处理方法及装置

有效

专利申请进度

申请

2019-05-14

申请公布

2020-11-17

授权

2023-04-07

预估到期

2039-05-14

专利基础信息

申请号	CN201910400130.7	申请日	2019-05-14
申请公布号	CN111951865A	申请公布日	2020-11-17
授权公布号	CN111951865B	授权公告日	2023-04-07
分类号	G11C16/26;G11C16/08
分类	信息存储;
申请人名称	兆易创新科技集团股份有限公司
申请人地址	北京市海淀区丰豪东路9号院8号楼1至5层101

专利法律状态

2023-04-07

授权

状态信息

授权
2020-11-17

公布

状态信息

公布

摘要

本发明实施例提供了一种非易失存储器读处理方法及装置，该方法包括：在对所述待处理存储块执行读操作时，确定选中的目标字线；其中，所述待处理存储块为：已经进行过大于预设次数的读操作的存储块；确定所述待处理存储块中边沿字线的导通阈值电压；其中，所述边沿字线为所述待处理存储块中的起始字线，和/或，末尾字线；对所述目标字线施加第一电压，且，对所述边沿字线施加第二电压；其中，所述第二电压大于所述第一电压，且所述第二电压大于所述导通阈值电压。本发明实施例在边沿字线施加大于该导通阈值电压的第二电压，可以确保边沿字线导通，因此可以避免已经进行过较多次数读操作的存储块中，因边沿字线造成的读取错误现象。

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