一种控制擦除操作的方法、装置以及Nandflash存储器

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专利状态

一种控制擦除操作的方法、装置以及Nandflash存储器

有效

专利申请进度

申请

2019-05-14

申请公布

2020-11-17

授权

2023-05-05

预估到期

2039-05-14

专利基础信息

申请号	CN201910400126.0	申请日	2019-05-14
申请公布号	CN111951853A	申请公布日	2020-11-17
授权公布号	CN111951853B	授权公告日	2023-05-05
分类号	G11C16/08;G11C16/14;G11C16/16
分类	信息存储;
申请人名称	兆易创新科技集团股份有限公司
申请人地址	北京市海淀区丰豪东路9号院8号楼1至5层101

专利法律状态

2023-05-05

授权

状态信息

授权
2022-09-13

著录事项变更

状态信息

著录事项变更；IPC(主分类):G11C 16/08；专利申请号:2019104001260；变更事项:申请人；变更前:北京兆易创新科技股份有限公司；变更后:兆易创新科技集团股份有限公司；变更事项:地址；变更前:100083 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层；变更后:100094 北京市海淀区丰豪东路9号院8号楼1至5层101；变更事项:申请人；变更前:西安格易安创集成电路有限公司；变更后:西安格易安创集成电路有限公司
2020-12-04

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G11C 16/08；专利申请号:2019104001260；申请日:20190514
2020-11-17

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供了一种控制擦除操作的方法、装置以及Nand flash存储器。所述方法包括：接收擦除操作指令，确定所需执行擦除操作的存储单元的地址所属的字线为目标字线，并判断目标字线是否属于边缘字线，若属于边缘字线，通过电压检测单元检测目标字线的阈值电压是否小于预设电压，若大于等于预设电压，根据预设电压，通过边缘字线电荷泵调整针对目标字线的擦除操作电压，之后对目标字线执行擦除操作指令对应的擦除操作。本发明在执行擦除操作时，拉大边缘字线的栅极与衬底之间的电压差，使得边缘字线更快的完成擦除，减少边缘字线执行擦除操作时需要的擦除循环次数，减少对中间字线的影响，延长存储单元阵列使用寿命的同时，提高Nand flash存储器操作的可靠性。

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