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专利状态
一种非易失存储器写处理方法及装置
有效
专利申请进度
申请
2019-05-14
申请公布
2020-11-17
授权
2022-10-18
预估到期
2039-05-14
专利基础信息
申请号
CN201910400133.0
申请日
2019-05-14
申请公布号
CN111951854A
申请公布日
2020-11-17
授权公布号
CN111951854B
授权公告日
2022-10-18
分类号
G11C16/08;G11C16/34
分类
信息存储;
申请人名称
兆易创新科技集团股份有限公司
申请人地址
北京市海淀区丰豪东路9号院8号楼1至5层101
专利法律状态
2022-10-18
授权
状态信息
授权
2022-09-13
著录事项变更
状态信息
著录事项变更;IPC(主分类):G11C 16/08;专利申请号:2019104001330;变更事项:申请人;变更前:北京兆易创新科技股份有限公司;变更后:兆易创新科技集团股份有限公司;变更事项:地址;变更前:100083 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层;变更后:100094 北京市海淀区丰豪东路9号院8号楼1至5层101;变更事项:申请人;变更前:西安格易安创集成电路有限公司;变更后:西安格易安创集成电路有限公司
2020-12-04
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):G11C 16/08;专利申请号:2019104001330;申请日:20190514
2020-11-17
公布
状态信息
公布
摘要
本发明实施例提供了一种非易失存储器写处理方法及装置,该方法包括:在对待处理存储块执行写操作时,确定所述待处理存储块的目标编程字线;对所述待处理存储块的目标编程字线施加第一编程电压;在所述目标编程字线未完成写操作的情况下,对所述目标编程字线施加第二编程电压;其中,所述第二编程电压与所述第一编程电压的电压差值小于第一预设值。本发明实施例在两次相邻的编程电压之间,只是相差较小的电压增量,经过大量实验验证,当两次相邻的编程电压之间,只是相差较小的电压增量时,WL0可以得到比较窄的VT分布,进而避免初始字线WL0中出现写入的数据不能被正确读出的现象发生,有效增加待处理存储块的使用次数。
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