一种晶硅太阳能电池用多层减反射膜结构

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专利状态

一种晶硅太阳能电池用多层减反射膜结构

有效

专利申请进度

申请

2018-12-28

授权

2020-04-07

预估到期

2028-12-28

专利基础信息

申请号	CN201822239506.4	申请日	2018-12-28
授权公布号	CN210272379U	授权公告日	2020-04-07
分类号	H01L31/0216;H01L31/18;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/513
分类	基本电气元件;
申请人名称	苏州腾晖光伏技术有限公司
申请人地址	江苏省苏州市常熟市沙家浜镇常昆工业园区腾晖路1号

专利法律状态

2020-04-07

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型公开了一种晶硅太阳能电池用多层减反射膜结构，包括：晶硅电池和氧化物层，所述晶硅电池和所述氧化物层之间设有一层、二层、三层或四层以上氮化硅层；可以制备低折射率的氧化物‑氮化硅多层减反射膜，调节多层膜的光学匹配，降低表面反射率至5％以内，因此，含低折射率氧化物多层减反射膜较常规氮化硅多层减反射膜具有更好的减反射效果，并且有利于晶硅电池对光线的利用率得到提升。

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