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专利状态

一种硅太阳能电池

有效

专利申请进度

申请

2019-05-31

授权

2019-12-17

预估到期

2029-05-31

专利基础信息

申请号	CN201920818103.7	申请日	2019-05-31
授权公布号	CN209804668U	授权公告日	2019-12-17
分类号	H01L31/0216;H01L31/04;H01L31/18
分类	基本电气元件;
申请人名称	苏州腾晖光伏技术有限公司
申请人地址	江苏省苏州市常熟市沙家浜镇常昆工业园区腾晖路1号

专利法律状态

2019-12-17

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供一种硅太阳能电池，涉及太阳能电池技术领域。该太阳能电池自下而上依次包括：背面电极、第一氮化硅层、氧化铝层、第一氧化硅层、硅基体、发射极层、第二氧化硅层、第二氮化硅层、第三氧化硅层以及正面电极。通过在电池正面氮化硅层上进一步增加氧化硅层，可以降低正面膜层的反射率，提升光的利用率，通过在背面氧化铝层与硅基体之间增加氧化硅层，有利于增强氧化铝固定负电荷的作用，增强了氧化铝的场钝化和化学钝化效果，从而提高了电池效率。

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