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专利状态
一种太阳能电池及其制作方法
有效
专利申请进度
申请
2016-04-19
申请公布
2016-07-06
授权
2017-07-04
预估到期
2036-04-19
专利基础信息
申请号 CN201610242862.4 申请日 2016-04-19
申请公布号 CN105742411A 申请公布日 2016-07-06
授权公布号 CN105742411B 授权公告日 2017-07-04
分类号 H01L31/18;H01L31/04;H01L31/0224
分类 基本电气元件;
申请人名称 苏州腾晖光伏技术有限公司
申请人地址 江苏省苏州市常熟沙家浜常昆工业园腾晖路1号
专利法律状态
  • 2018-04-10
    专利权人的姓名或者名称、地址的变更
    状态信息
    专利权人的姓名或者名称、地址的变更;IPC(主分类):H01L31/18;变更事项:专利权人;变更前:中利腾晖光伏科技有限公司;变更后:苏州腾晖光伏技术有限公司;变更事项:地址;变更前:215300 江苏省苏州市常熟沙家浜常昆工业园腾晖路1号;变更后:215300 江苏省苏州市常熟沙家浜常昆工业园腾晖路1号
  • 2017-07-04
    授权
    状态信息
    授权
  • 2016-08-03
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):H01L31/18;申请日:20160419
  • 2016-07-06
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明公开了一种太阳能电池及其制作方法,包括:提供一基底;在基底一表面形成第一保护层;在基底背离第一保护层的表面制作硼扩散层;去除第一保护层和硼硅玻璃后,在硼扩散层背离基底一侧形成第二保护层;在基底背离硼扩散层的表面制作磷扩散层;去除第二保护层、磷硅玻璃和边缘pn结后,在磷扩散层背离基底一侧形成第一钝化层,以及,在硼扩散层背离基底一侧形成第二钝化层;在第一钝化层背离基底一侧形成正面电极并烧结后,得到太阳能电池。在基底的一表面制作硼扩散层,进而将硼扩散层作为太阳能电池的背电场,以在基底背离正面电极一侧形成高浓度掺杂区域,提高了背电场的效果,提高了太阳能电池的性能。