一种埋入式芯片及其制备方法

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专利状态

一种埋入式芯片及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2018-12-21

申请公布

2020-06-30

授权

2022-04-12

预估到期

2038-12-21

专利基础信息

申请号	CN201811571223.8	申请日	2018-12-21
申请公布号	CN111354702A	申请公布日	2020-06-30
授权公布号	CN111354702B	授权公告日	2022-04-12
分类号	H01L23/488;H01L23/49;H01L23/60;H01L21/48
分类	基本电气元件;
申请人名称	深南电路股份有限公司
申请人地址	广东省深圳市南山区侨城东路99号

专利法律状态

2022-04-12

授权

状态信息

授权
2020-06-30

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种埋入式芯片及其制备方法，该埋入式芯片包括电路板，其上设置有电镀金属；芯片本体，位于所述电路板内部，所述芯片本体具有多个引脚焊盘，所述多个引脚焊盘由所述电镀金属引出构成多个芯片引脚；以及导电插件，与所述多个芯片引脚之间可拆卸插接。通过为埋入式芯片提供与其芯片引脚可拆卸插接的导电插件，在埋入式芯片的放置、移动等过程中，通过导电插件将其芯片引脚相互导通，进而提高了芯片的抗静电能力，实现对芯片的静电保护，在需要使用埋入式芯片时将导电插件拆卸掉即可。

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