一种镍磷层埋置电阻化学精细调阻方法及腐蚀剂

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专利状态

一种镍磷层埋置电阻化学精细调阻方法及腐蚀剂

有效

专利申请进度

申请

2019-08-27

申请公布

2019-11-19

授权

2021-08-10

预估到期

2039-08-27

专利基础信息

申请号	CN201910793565.2	申请日	2019-08-27
申请公布号	CN110473681A	申请公布日	2019-11-19
授权公布号	CN110473681B	授权公告日	2021-08-10
分类号	H01C17/00;H01C17/14;C23F1/18
分类	基本电气元件;
申请人名称	博敏电子股份有限公司
申请人地址	广东省梅州市经济开发试验区东升工业园

专利法律状态

2021-08-10

授权

状态信息

授权
2019-12-13

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC（主分类）:H01C 17/00
2019-11-19

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种镍磷层埋置电阻化学精细调阻方法，属于电路板技术领域，主要解决的是现有调阻方式不能精细均匀地调节阻值的技术问题，所述方法首先测量调阻前电阻的初始阻值R1，通过控制所述电阻在用于腐蚀镍磷合金层的腐蚀剂中的浸泡时间T得到所述电阻的目标阻值R2。本发明公开了一种镍磷层埋置电阻化学精细调阻腐蚀剂。本发明仅腐蚀镍磷合金层，同时腐蚀更为均匀，通过控制时间能够有效精细地控制电阻变化情况，从而得到目标电阻值，提升了电阻控制精度。

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