一种脊状LED及其制备方法_专利查询-品牌网

热门行业
装修建材
家居生活
餐饮食品
母婴教育
电脑办公
服装首饰
汽车工具
家电数码
机械化工
休闲美容

热门行业

教育培训
板材
地板
涂料
家纺
集成吊顶
美缝剂
木门
硅藻泥
管材
指纹锁
橱柜
衣柜
床垫
电热水器
集成灶
暖气片
净水器
酒店
卫浴

返回上一页

专利状态

一种脊状LED及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2017-05-17

申请公布

2017-09-01

授权

2019-02-26

预估到期

2037-05-17

专利基础信息

申请号	CN201710346428.5	申请日	2017-05-17
申请公布号	CN107123711A	申请公布日	2017-09-01
授权公布号	CN107123711B	授权公告日	2019-02-26
分类号	H01L33/00;H01L33/34
分类	基本电气元件;
申请人名称	深圳市长方集团股份有限公司
申请人地址	广东省深圳市坪山新区大工业区聚龙山3号路

专利法律状态

2019-02-26

授权

状态信息

授权
2019-02-05

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利申请权的转移；IPC(主分类):H01L33/00；登记生效日:20190116；变更事项:申请人；变更前:西安科锐盛创新科技有限公司；变更后:深圳市长方集团股份有限公司；变更事项:地址；变更前:710065 陕西省西安市高新区高新路86号领先时代广场（B座）第2幢1单元22层12202号房51号；变更后:518000 广东省深圳市坪山新区大工业区聚龙山3号路
2017-09-29

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L33/00；申请日:20170517
2017-09-01

公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及一种脊状LED及其制备方法。其中，所述制备方法包括：选取SOI衬底；利用CVD工艺在SOI衬底表面生长Ge外延层；利用CVD工艺在Ge外延层表面生长氧化层；利用LRC工艺晶化Ge外延层形成改性Ge外延层；利用干法刻蚀工艺刻蚀氧化层；在改性Ge外延层表面生长本征Ge层；选择性刻蚀本征Ge层形成脊型结构；在脊型结构的两侧分别注入P离子和B离子形成N型Ge区域和P型Ge区域；制备金属接触电极以完成脊状LED的制备；本发明利用激光再晶化工艺，在SOI衬底上制备位错密度低Ge外延层，并制备高质量直接带隙Ge外延层，然后实现一种脊状LED及其制备方法。

更多专利

全国服务热线：

在线客服

1211389656 咨询

商务合作

85926368 咨询

媒体合作

921888730 咨询

在线客服
客服微信号

品牌网官方客服微信

打开微信扫一扫

客服微信
商务合作微信

商务合作详谈

打开微信扫一扫

商务合作
回到顶部

在线客服

商务合作

媒体合作

客服微信号

商务合作微信