NAND闪存的垃圾回收方法及NAND闪存

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专利状态

NAND闪存的垃圾回收方法及NAND闪存

有效

专利申请进度

申请

2019-04-12

申请公布

2019-08-16

授权

2021-05-14

预估到期

2039-04-12

专利基础信息

申请号	CN201910295427.1	申请日	2019-04-12
申请公布号	CN110134616A	申请公布日	2019-08-16
授权公布号	CN110134616B	授权公告日	2021-05-14
分类号	G06F12/02
分类	计算；推算；计数;
申请人名称	深圳市金泰克半导体有限公司
申请人地址	广东省深圳市坪山区龙田街道长方照明工业厂区厂房B一、四层

专利法律状态

2021-05-14

授权

状态信息

授权
2019-09-10

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效
2019-08-16

公布

状态信息

公布

摘要

本申请涉及一种NAND闪存的垃圾回收方法及NAND闪存，所述NAND闪存的待回收数据块分为多个待读取子数据块，每个待读取子数据块与一个通道相对应，每个待读取子数据块中存储着有效数据或无效数据，不同待回收数据块的同一位置的待读取子数据块对应相同的通道；所述NAND闪存包括：多个SRAM，每个SRAM与一个所述通道相对应，用于读取对应通道的待读取子数据块的数据，控制器，用于控制所述SRAM对数据的读/写；所述垃圾回收方法包括：所述每个SRAM同时读取对应通道的待读取子数据块的有效数据。本发明实施例进一步提高了NAND闪存的垃圾回收的效率。

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