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专利状态
复合材料及其制备方法、应用、发光二极管及其制备方法
有效
专利申请进度
申请
2019-12-28
申请公布
2021-06-29
授权
2022-08-23
预估到期
2039-12-28
专利基础信息
申请号
CN201911383743.0
申请日
2019-12-28
申请公布号
CN113054145A
申请公布日
2021-06-29
授权公布号
CN113054145B
授权公告日
2022-08-23
分类号
H01L51/56;H01L51/50
分类
基本电气元件;
申请人名称
TCL科技集团股份有限公司
申请人地址
广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
专利法律状态
2022-08-23
授权
状态信息
授权
2021-06-29
公布
状态信息
公布
摘要
本发明属于纳米材料技术领域,具体涉及一种复合材料及其制备方法、应用、发光二极管及其制备方法。所述复合材料包括二氧化铈纳米颗粒以及掺杂在所述二氧化铈纳米颗粒中的氮元素和铌元素。N‑Nb的共掺杂可使CeO2中电子费米能级移动到导带,使得CeO2的禁带宽度变窄,电子可以比较容易地从杂质能级跃迁进入导带,从而提高了电子传输能力,将该复合材料用于量子点发光二极管,可以有效提高器件的发光效率。
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