一种量子点发光二极管及其制备方法

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专利状态

一种量子点发光二极管及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2020-08-26

申请公布

2022-03-01

授权

2023-09-01

预估到期

2040-08-26

专利基础信息

申请号	CN202010869025.0	申请日	2020-08-26
申请公布号	CN114122270A	申请公布日	2022-03-01
授权公布号	CN114122270B	授权公告日	2023-09-01
分类号	H10K50/115;H10K71/00;B82Y30/00
分类
申请人名称	TCL科技集团股份有限公司
申请人地址	广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦

专利法律状态

2023-09-01

授权

状态信息

授权
2022-03-01

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，量子点发光二极管包括：阳极，阴极，设置在阳极与阴极之间的量子点发光层，设置在阳极与量子点发光层之间的PEDOT:PSS层，以及设置在PEDOT:PSS层与量子点发光层之间的间隔层，间隔层的材料为硫硒化锑纳米颗粒，硫硒化锑纳米颗粒的化学式为Sb2（S1‑xSex）3，其中，0

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