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专利状态

双向功率器件

有效

专利申请进度

申请

2020-10-27

授权

2021-09-03

预估到期

2030-10-27

专利基础信息

申请号	CN202022419892.2	申请日	2020-10-27
授权公布号	CN214123884U	授权公告日	2021-09-03
分类号	H01L29/06;H01L27/02;H01L21/8232
分类	基本电气元件;
申请人名称	杭州士兰微电子股份有限公司
申请人地址	浙江省杭州市黄姑山路4号

专利法律状态

2021-09-03

授权

状态信息

授权

摘要

本申请公开了一种双向功率器件，包括：半导体层；第一掺杂区，位于半导体层中；第一沟槽区的多个沟槽，位于第一掺杂区中，将第一掺杂区分隔为交替的第一类子掺杂区与第二类子掺杂区；位于多个沟槽中的栅介质层、控制栅、屏蔽介质层、屏蔽栅；覆盖介质层，位于半导体层表面；以及穿过覆盖介质层的衬底电极、第一接触电极、第二接触电极、第一栅电极以及第二栅电极，其中，第一接触电极、第二接触电极、第一栅电极、第二栅电极以及衬底电极的表面与覆盖介质层平齐。该器件的电极和覆盖介质层齐平，利于后续平坦化工艺需求，同时，由于电极做到半导体结构中的面积较大，使得电极和导电区的接触面积增大，可以进一步增加导电能力，减小接触孔的尺寸。

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