一种高压栅极驱动电路及其制备方法

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专利状态

一种高压栅极驱动电路及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2023-11-07

申请公布

2023-12-12

授权

2024-02-23

预估到期

2043-11-07

专利基础信息

申请号	CN202311468067.3	申请日	2023-11-07
申请公布号	CN117219654A	申请公布日	2023-12-12
授权公布号	CN117219654B	授权公告日	2024-02-23
分类号	H01L29/06;H01L27/088;H01L21/8234
分类	基本电气元件;
申请人名称	杭州士兰微电子股份有限公司
申请人地址	浙江省杭州市西湖区黄姑山路4号

专利法律状态

2024-02-23

授权

状态信息

授权
2023-12-29

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L29/06；申请日:20231107
2023-12-12

公布

状态信息

公布

摘要

本申请公开了一种高压栅极驱动电路及其制备方法，高压栅极驱动电路包括：第一掺杂类型的衬底；第二掺杂类型的第一埋层，位于所述衬底上；第一掺杂类型的外延层，位于所述衬底和所述第一埋层上，所述外延层包括高侧驱动电路区域、低侧驱动电路区域以及电平位移电路区域，所述电平位移电路区域至少包括高压LDMOS器件；以及高压隔离岛和隔离结构，所述高侧驱动电路区域与所述低侧驱动电路区域经由所述高压隔离岛隔离，所述电平位移电路区域与所述高侧驱动电路区域经由所述隔离结构隔离。本申请的高压栅极驱动电路在具备较高的击穿电压和隔离电压的同时，也减少了高压跨线等可靠性风险，工艺上只需要较少的光刻层数和较为简单的工序，降低了生产成本。

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