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专利状态

图像传感器的像素结构

有效

专利申请进度

申请

2020-04-24

授权

2021-02-26

预估到期

2030-04-24

专利基础信息

申请号	CN202020633507.1	申请日	2020-04-24
授权公布号	CN212625579U	授权公告日	2021-02-26
分类号	H01L27/146;H04N5/369
分类	基本电气元件;
申请人名称	格科微电子（上海）有限公司
申请人地址	上海市浦东新区张江盛夏路560号2号楼11层

专利法律状态

2021-02-26

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供一种图像传感器的像素结构，通过设置位于浮置扩散区与传输晶体管之间的多晶硅结构，增加了浮置扩散区与传输晶体管的间距，减少了浮置扩散区和传输晶体管之间重叠区的面积，减小了栅诱导漏极泄漏电流效应，保证器件性能，通过多晶硅结构包围浮置扩散区，以实现浮置扩散区注入工艺与接触孔刻蚀工艺的自对准，减少了由于接触孔刻蚀位置的偏移而导致的暗电流或白点的产生，此外由于增加的多晶硅结构占据了原有浮置扩散区的部分位置，减小了浮置扩散区的面积，降低了浮置扩散区的电容，提高了浮置扩散区的转化增益能力，保证了输出电压信号范围，改善了图像传感器的整体性能。

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