一种NAND闪存芯片的测试样本

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专利状态

一种NAND闪存芯片的测试样本

有效

专利申请进度

申请

2016-12-27

申请公布

2018-07-03

授权

2023-10-10

预估到期

2036-12-27

专利基础信息

申请号	CN201611224670.7	申请日	2016-12-27
申请公布号	CN108242252A	申请公布日	2018-07-03
授权公布号	CN108242252B	授权公告日	2023-10-10
分类号	G11C29/56
分类	信息存储;
申请人名称	兆易创新科技集团股份有限公司
申请人地址	北京市海淀区丰豪东路9号院8号楼1至5层101

专利法律状态

2023-10-10

授权

状态信息

授权
2022-09-23

著录事项变更

状态信息

著录事项变更；IPC(主分类):G11C29/56；变更事项:申请人；变更前:北京兆易创新科技股份有限公司；变更后:兆易创新科技集团股份有限公司；变更事项:地址；变更前:100083 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层；变更后:100094 北京市海淀区丰豪东路9号院8号楼1至5层101
2020-09-18

专利申请权、专利权的转移

状态信息

专利申请权的转移；IPC(主分类):G11C29/56；登记生效日:20200828；变更事项:申请人；变更前:北京京存技术有限公司；变更后:北京兆易创新科技股份有限公司；变更事项:地址；变更前:100176 北京市大兴区经济技术开发区景园北街2号52幢202室；变更后:100083 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层
2018-07-27

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G11C29/56；申请日:20161227
2018-07-03

公布

状态信息

公布

摘要

本发明实施例公开了一种NAND闪存芯片的测试样本，其中，所述测试样本包括多个相同的样本区域，每个样本区域包括多个相邻的数据块，所述多个相邻的数据块用于进行不同擦写次数的测试；所述多个相同的样本区域中，任意两个相邻的样本区域之间间隔预设数量的相邻数据块。本发明实施例通过将多个相邻的数据块构成样本区域，用于进行不同擦写次数的测试，并在测试样本中以一定的间隔均匀分布多个相同的样本区域，从而在单芯片上实现多种擦写次数的测试，不仅降低了测试成本，同时又能覆盖不同擦写次数的测试，实现NAND闪存芯片的基本性能评估。

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