一种控制擦除的方法和装置

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专利状态

一种控制擦除的方法和装置

有效

专利申请进度

申请

2019-05-14

申请公布

2020-11-17

授权

2022-10-18

预估到期

2039-05-14

专利基础信息

申请号	CN201910399721.7	申请日	2019-05-14
申请公布号	CN111951868A	申请公布日	2020-11-17
授权公布号	CN111951868B	授权公告日	2022-10-18
分类号	G11C16/34
分类	信息存储;
申请人名称	兆易创新科技集团股份有限公司
申请人地址	北京市海淀区丰豪东路9号院8号楼1至5层101

专利法律状态

2022-10-18

授权

状态信息

授权
2022-09-20

著录事项变更

状态信息

著录事项变更；IPC(主分类):G11C 16/34；专利申请号:2019103997217；变更事项:申请人；变更前:北京兆易创新科技股份有限公司；变更后:兆易创新科技集团股份有限公司；变更事项:地址；变更前:100083 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层；变更后:100094 北京市海淀区丰豪东路9号院8号楼1至5层101；变更事项:申请人；变更前:西安格易安创集成电路有限公司；变更后:西安格易安创集成电路有限公司
2020-12-04

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):G11C 16/34；专利申请号:2019103997217；申请日:20190514
2020-11-17

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供了一种控制擦除的方法和装置。所述方法包括：对目标存储单元执行擦除操作，对执行过擦除操作的目标存储单元执行第一擦除验证操作，若执行过擦除操作的目标存储单元通过第一擦除验证，则对执行过擦除操作的目标存储单元执行目标数量验证操作，若通过目标数量验证操作的目标存储单元的数量达到预设目标数量，跳过软编程操作，对执行过擦除操作的目标存储单元执行上限验证操作。采用本发明的方法，跳过了软编程和软编程之后的软编程验证，缩短Nand flash存储器完成擦除操作后到可以继续执行下一个操作之间的时间，极大提高Nand flash存储器的工作效率的同时，还避免了现有技术执行软编程后可能出现的“过编程”情况，减轻对存储单元使用寿命的损伤。

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