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专利状态
一种存储器的编程方法和系统
有效
专利申请进度
申请
2018-08-17
申请公布
2020-03-17
授权
2024-02-20
预估到期
2038-08-17
专利基础信息
申请号 CN201810941467.4 申请日 2018-08-17
申请公布号 CN110888519A 申请公布日 2020-03-17
授权公布号 CN110888519B 授权公告日 2024-02-20
分类号 G06F1/3234;G11C16/34
分类 计算;推算;计数;
申请人名称 兆易创新科技集团股份有限公司
申请人地址 北京市海淀区丰豪东路9号院8号楼1至5层101
专利法律状态
  • 2024-02-20
    授权
    状态信息
    授权
  • 2022-09-20
    著录事项变更
    状态信息
    著录事项变更;IPC(主分类):G06F1/3234;变更事项:申请人;变更前:北京兆易创新科技股份有限公司;变更后:兆易创新科技集团股份有限公司;变更事项:地址;变更前:100083 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层;变更后:100094 北京市海淀区丰豪东路9号院8号楼1至5层101
  • 2020-04-10
    实质审查的生效
    状态信息
    实质审查的生效;IPC(主分类):G06F1/3234;申请日:20180817
  • 2020-03-17
    公布
    状态信息
    公布
摘要
本发明公开了一种存储器的编程方法和系统。方法包括以下步骤:编程时序B11时,向存储器的存储单元施加编程电压,存储单元有r个,r为正整数;校验时序Y11时,向r个存储单元施加校验电压,当有u个存储单元校验失败时,则在编程时序B1u时,对u个校验失败的所述存储单元施加经过增幅的编程电压以重新写入数据,0<u≤r,u为正整数;校验时序Y1u时,向u个重新写入数据的存储单元施加校验电压,全部校验成功则结束,如果有v个存储单元校验失败,0≤v≤u,则向校验失败的v个存储模块中重新写入数据。