一种高频宽带的毫米波噪声源及其制备方法

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专利状态

一种高频宽带的毫米波噪声源及其制备方法

有效

专利申请进度

申请

2020-08-31

申请公布

2020-11-27

授权

2022-07-19

预估到期

2040-08-31

专利基础信息

申请号	CN202010900963.2	申请日	2020-08-31
申请公布号	CN112003570A	申请公布日	2020-11-27
授权公布号	CN112003570B	授权公告日	2022-07-19
分类号	H03B29/00
分类	基本电子电路;
申请人名称	中电科思仪科技股份有限公司
申请人地址	山东省青岛市黄岛区香江路98号

专利法律状态

2022-07-19

授权

状态信息

授权
2020-11-27

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种高频宽带的毫米波噪声源及其制备方法，其中毫米波噪声源包括：偏置电路与雪崩二级管、悬带式匹配电路及微带‑同轴转换器依次连接，为保证雪崩二极管的工作电流恒定，在结构中偏置电路与雪崩二级管之间设置有过压保护电路，具有高隔离度输出、低噪声输出电压的特点，用以保证雪崩二极管工作在恒流状态。同时采用了悬带式匹配电路结构，可将频率范围拓展至110GHz，从而实现高频宽带噪声信号稳定输出；最后末级通过微带‑同轴转换器进行转换，实现信号稳定输出。使用微带转同轴的输出方式替代传统噪声源波导转同轴的形式，提升了超噪比，优化了驻波比。

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