一种提高晶片腐蚀均匀性的装置及方法

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专利状态

一种提高晶片腐蚀均匀性的装置及方法

有效

专利申请进度

申请

2016-02-24

申请公布

2016-05-04

授权

2019-05-10

预估到期

2036-02-24

专利基础信息

申请号	CN201610101512.6	申请日	2016-02-24
申请公布号	CN105552007A	申请公布日	2016-05-04
授权公布号	CN105552007B	授权公告日	2019-05-10
分类号	H01L21/67
分类	基本电气元件;
申请人名称	北方华创科技集团股份有限公司
申请人地址	北京市朝阳区酒仙桥东路1号

专利法律状态

2020-08-25

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

状态信息

专利权人的姓名或者名称、地址的变更；IPC(主分类):H01L 21/67；专利号:ZL2016101015126；变更事项:专利权人；变更前:北京七星华创电子股份有限公司；变更后:北方华创科技集团股份有限公司；变更事项:地址；变更前:100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号；变更后:100015 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
2019-05-10

发明专利权授予

状态信息

授权
2016-06-01

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L 21/67；申请日:20160224
2016-05-04

发明专利申请公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种提高晶片腐蚀均匀性的装置及方法，包括第一喷淋臂以及第一喷淋装置,第一喷淋装置安装在可带动其旋转和/或升降的第一喷淋臂上，第一喷淋装置的长度与晶片的半径或直径一致，其喷出的化学药液可瞬间同时覆盖晶片的表面。本发明通过设置第一喷淋装置，在喷射化学药液时，伴随晶片高速旋转的状态，可在晶片表面瞬时均匀覆盖化学药液，使得晶片表面各处同时与化学药液产生反应，解决了现有技术中化学药液在起喷点处腐蚀速率高于晶片其他各处的问题，提高了晶片的腐蚀的均匀性；进一步的，在晶片腐蚀过程中，还可通过调整第二喷淋装置的摆动速率，精确控制晶片腐蚀速率，进一步提高晶片的腐蚀均匀性。

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