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专利状态

一种背结晶硅电池

有效

专利申请进度

申请

2021-04-23

授权

2021-12-14

预估到期

2031-04-23

专利基础信息

申请号	CN202120851856.5	申请日	2021-04-23
授权公布号	CN215183988U	授权公告日	2021-12-14
分类号	H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068
分类	基本电气元件;
申请人名称	苏州腾晖光伏技术有限公司
申请人地址	江苏省苏州市常熟市沙家浜镇常昆工业园区腾晖路1号

专利法律状态

2021-12-14

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供了一种背结晶硅电池，其包括：P型硅片、正面钝化减反层、正面电极以及空穴选择性接触层；其中，所述空穴选择性接触层层叠并覆盖于所述P型硅片的正面上，所述正面钝化减反层层叠于所述空穴选择性接触层上，所述正面电极形成于所述正面钝化减反层上并穿透所述正面钝化减反层与所述空穴选择性接触层接触。本实用新型中的空穴选择性接触材料为整面覆盖，非局部结构，正面电极也无需精准对位，整个正面接触结构制备简便。此外，无高温的硼扩，不影响P型硅片的体少子寿命。

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