一种提高晶硅双面太阳电池的背铝栅线对准精度的方法

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专利状态

一种提高晶硅双面太阳电池的背铝栅线对准精度的方法

有效

专利申请进度

申请

2018-10-29

申请公布

2019-04-05

授权

2021-06-22

预估到期

2038-10-29

专利基础信息

申请号	CN201811266057.0	申请日	2018-10-29
申请公布号	CN109585351A	申请公布日	2019-04-05
授权公布号	CN109585351B	授权公告日	2021-06-22
分类号	H01L21/68;H01L31/0224;H01L31/18
分类	基本电气元件;
申请人名称	苏州腾晖光伏技术有限公司
申请人地址	江苏省苏州市常熟市沙家浜常昆工业园腾晖路1号

专利法律状态

2021-06-22

授权

状态信息

授权
2019-04-30

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC（主分类）:H01L 21/68
2019-04-05

公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种提高晶硅双面太阳电池的背铝栅线对准精度的方法，采用酸性溶液体系对硅片进行刻蚀，所述酸性溶液体系中包括体积比例为1:1~3的氢氟酸和硝酸；所述酸性溶液体系还包括添加剂，所述添加剂为硅烷偶联剂、柠檬酸、聚乙烯醇、酒石酸中一种或几种的混合液；采用主光源和辅助光源对硅片进行照射并通过摄像头获取硅片表面的图片以捕捉激光标记点的位置，其中主光源设置于硅片的正上方并正对硅片，辅助光源位于硅片的侧上方；实现激光标记点的精准对位和铝栅线的精确覆盖，从而提高印刷时背铝栅线的对准精度。

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