N型双面太阳能电池的制备方法

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专利状态

N型双面太阳能电池的制备方法

有效

专利申请进度

申请

2016-03-22

申请公布

2016-05-25

授权

2017-08-15

预估到期

2036-03-22

专利基础信息

申请号	CN201610161758.2	申请日	2016-03-22
申请公布号	CN105609594A	申请公布日	2016-05-25
授权公布号	CN105609594B	授权公告日	2017-08-15
分类号	H01L31/18
分类	基本电气元件;
申请人名称	苏州腾晖光伏技术有限公司
申请人地址	江苏省苏州市常熟市沙家浜常昆工业园腾晖路1号

专利法律状态

2018-02-16

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

状态信息

专利权人的姓名或者名称、地址的变更；IPC(主分类):H01L31/18；变更事项:专利权人；变更前:中利腾晖光伏科技有限公司；变更后:苏州腾晖光伏技术有限公司；变更事项:地址；变更前:215542 江苏省苏州市常熟市沙家浜常昆工业园腾晖路1号；变更后:215542 江苏省苏州市常熟市沙家浜常昆工业园腾晖路1号
2017-08-15

授权

状态信息

授权
2016-06-22

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L31/18；申请日:20160322
2016-05-25

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种N型双面太阳能电池的制备方法，其无需掩膜，简化了N型双面太阳能电池的生产工艺。一种N型双面太阳能电池的制备方法，依次包括如下步骤：S1、在N型硅片的表面上制绒形成绒面；S2、在制绒后的硅片正面涂覆硼浆料；S3、烘干烧结，在硅片正面形成一层硼硅玻璃作为阻挡层；S4、退火共扩散；S5、酸洗，洗掉硅片正面的硼硅玻璃及硅片背面的磷硅玻璃；S6、在硅片表面镀钝化膜；S7、印刷电极、烧结；其中，步骤S4进一步包括：S41、硼扩散，在硅片的正面形成硼发射极；S42、磷扩散，在硅片的背面形成磷扩散背场。

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