一种背钝化硅基太阳能电池

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专利状态

一种背钝化硅基太阳能电池

有效

专利申请进度

申请

2019-09-04

授权

2020-05-22

预估到期

2029-09-04

专利基础信息

申请号	CN201921460183.X	申请日	2019-09-04
授权公布号	CN210607280U	授权公告日	2020-05-22
分类号	H01L31/0216;H01L31/068
分类	基本电气元件;
申请人名称	苏州腾晖光伏技术有限公司
申请人地址	江苏省苏州市常熟市沙家浜常昆工业园

专利法律状态

2020-05-22

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型公开了一种背钝化硅基太阳能电池，能够避免负电荷场效应对钝化的削弱。一种背钝化硅基太阳能电池，包括晶体硅基体、形成于所述晶体硅基体正面的掺杂层、形成于所述掺杂层上的正面钝化膜、透过所述正面钝化膜和所述掺杂层形成欧姆接触的正面电极、形成于所述晶体硅衬底背面的背面钝化膜及穿过所述背面钝化膜和所述晶体硅基体形成欧姆接触的背面电极，所述背面钝化膜包括形成于所述晶体硅衬底背面的第一钝化层及形成于所述第一钝化层上的第二钝化层，所述背面电极形成于所述第二钝化层上，所述第一钝化层为Al₂O₃层，所述第二钝化层包括Ga₂O₃层和/或Ta₂O₅层。

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