一种P型晶体硅电池及光伏组件

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专利状态

一种P型晶体硅电池及光伏组件

有效

专利申请进度

申请

2019-07-24

授权

2020-04-07

预估到期

2029-07-24

专利基础信息

申请号	CN201921174254.X	申请日	2019-07-24
授权公布号	CN210272380U	授权公告日	2020-04-07
分类号	H01L31/0216;H01L31/04;H01L31/0248;H01L31/0352
分类	基本电气元件;
申请人名称	苏州腾晖光伏技术有限公司
申请人地址	江苏省苏州市常熟市沙家浜常昆工业园

专利法律状态

2020-04-07

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型公开了一种P型晶体硅电池，对提高P型晶体硅太阳电池的表面浓度具有显著效果；本实用新型还公开了一种具有上述P型晶体硅电池的光伏组件。一种P型晶体硅电池，包括正面金属电极、正面钝化减反射层、N型选择性发射结层、P型硅基体、氧化物层、P型多晶硅层、背面钝化减反射层及背面金属电极，正面钝化减反射层、N型选择性发射结层、P型硅基体、氧化物层、P型多晶硅层及背面钝化减反射层自上至下依次层叠设置，正面金属电极穿透正面钝化减反射层并和N型选择性发射结层形成欧姆接触，P型多晶硅层具有P型高浓度掺杂区和P型低浓度掺杂区，背面金属电极穿透背面钝化减反射层并和P型多晶硅层的P型高浓度掺杂区形成欧姆接触。

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