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专利状态
提高晶硅太阳电池的背铝栅线和激光开槽对准精度的方法
有效
专利申请进度
申请
2018-10-29
申请公布
2019-04-12
授权
2021-01-26
预估到期
2038-10-29
专利基础信息
申请号
CN201811265980.2
申请日
2018-10-29
申请公布号
CN109616545A
申请公布日
2019-04-12
授权公布号
CN109616545B
授权公告日
2021-01-26
分类号
H01L31/18;
分类
基本电气元件;
申请人名称
苏州腾晖光伏技术有限公司
申请人地址
江苏省苏州市常熟市沙家浜常昆工业园腾晖路1号
专利法律状态
2021-01-26
授权
状态信息
授权
2019-05-07
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效
2019-04-12
公布
状态信息
公布
摘要
本发明公开了一种提高晶硅太阳电池的背铝栅线和激光开槽对准精度的方法,通过改变晶硅太阳电池的背面钝化膜的厚度和/或折射率,使所述背面钝化膜的颜色与激光标记点处的颜色不同,所述背面钝化膜的颜色与所述激光标记处的颜色的对比度大于浅黄色与银灰色的对比度,能够改善背面铝栅线及激光开槽的对准精度,提高电池的效率和良率。
更多专利
1
一种晶硅太阳能电池的生产线
2
一种硅太阳能电池
3
一种新型防隐裂组件
4
一种石墨烯晶硅太阳电池结构
5
一种太阳能电池正面栅线结构
6
一种太阳能电池片
7
一种具有特定波长光吸收峰值的半导体基片
8
一种基于钝化接触结构的MWT电池
9
一种P型晶体硅电池的制备方法
10
一种传输装置
11
一种无正面边框遮挡的光伏组件
12
一种双面太阳能电池及其制备方法
13
光伏组件单元及光伏生态大棚
14
一种晶硅双面太阳电池的对准印刷系统
15
太阳能电池浆料的性能测试方法
16
一种扩散炉
17
提高晶硅太阳电池的背铝栅线和激光开槽对准精度的方法
18
一种用于多主栅太阳能电池的测试装置
19
一种减反射膜结构及PERC电池
20
单晶硅基类倒金字塔绒面结构的扩散方法
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