一种石墨烯晶硅太阳电池结构

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专利状态

一种石墨烯晶硅太阳电池结构

有效

专利申请进度

申请

2018-12-28

授权

2019-07-09

预估到期

2028-12-28

专利基础信息

申请号	CN201822238505.8	申请日	2018-12-28
授权公布号	CN209087857U	授权公告日	2019-07-09
分类号	H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18
分类	基本电气元件;
申请人名称	苏州腾晖光伏技术有限公司
申请人地址	江苏省苏州市常熟市沙家浜镇常昆工业园区腾晖路1号

专利法律状态

2019-07-09

授权

状态信息

授权

摘要

本实用新型提供一种石墨烯晶硅太阳电池结构，包括硅片及设置于所述硅片表面的正极栅线，所述正极栅线包括多条相互平行的主栅及垂直于所述主栅的副栅；还包括石墨烯透明导电层，所述石墨烯透明导电层至少覆盖在所述副栅的表面。本实用新型相较于现有技术，在晶硅太阳电池上叠加石墨烯透明导电层，石墨烯具备透过率高，导电性好的优点，石墨烯与主栅、副栅形成良好的电气接触，从而充分利用石墨烯横向导电性好的优点，部分载流子通过石墨烯传输给主栅，减小副栅的载流子传输损耗；同时相比传统太阳电池可以减少副栅的排布数量，增加受光面积，提高电池短路电流和光电转换效率。

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