单晶硅基类倒金字塔绒面结构的扩散方法

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专利状态

单晶硅基类倒金字塔绒面结构的扩散方法

有效

专利申请进度

申请

2019-06-02

申请公布

2019-08-09

授权

2021-08-17

预估到期

2039-06-02

专利基础信息

申请号	CN201910475055.0	申请日	2019-06-02
申请公布号	CN110112260A	申请公布日	2019-08-09
授权公布号	CN110112260B	授权公告日	2021-08-17
分类号	H01L31/18;H01L21/225
分类	基本电气元件;
申请人名称	苏州腾晖光伏技术有限公司
申请人地址	江苏省苏州市常熟市沙家浜镇常昆工业园区腾晖路1号

专利法律状态

2021-08-17

授权

状态信息

授权
2019-09-03

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC（主分类）:H01L 31/18
2019-08-09

公布

状态信息

公布

摘要

本发明提供一种单晶硅基类倒金字塔绒面结构的扩散方法，包括：采用P型单晶硅片做单晶硅基底，在所述单晶硅基底正表面进行各向异性刻蚀，得到分布均匀的类倒金字塔结构；将具有类倒金字塔结构的硅片放入扩散炉中进行分步式扩散；所述分步式扩散包括温度依次升高条件下的磷源沉积和至少两个梯度的降温程序。本发明三步有序沉积的设计有利于磷源较为充分的均匀的沉积到硅片表面；降温分成两步的缓冲式降温方式，减少了硅片表面过多的磷源堆积而形成的“死层”，应用此方法得到的扩散方阻为达到理想方阻值，且均匀性较好。

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